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        比亞迪半導體發布光伏逆變器專用 IGBT 元器件

        IT之家5 月28日消息,在“碳達峰”“碳中和”背景下,太陽能、風能、熱能、生物能等可再生能源的規?;瘧贸蔀槭澜缒茉窗l展的必然趨勢。在眾多發電技術中,太陽能光伏發電是綠色環保概念中的重要發電方式之一,而光伏逆變器是太陽能光伏發電的核心設備,光伏逆變器的性能可以影響整個光伏系統的平穩性、發電效率和使用年限。

        公開資料顯示,光伏逆變器的性能可以影響整個光伏系統的平穩性、發電效率和使用年限。而在逆變電路中,都需使用 IGBT 等具有開關特性的半導體功率器件,控制各個功率器件輪流導通和關斷,再經由變壓器藕合升壓或降壓,最終實現直流轉交流的轉換。因此,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為光伏逆變器的核心元器件,在光伏等領域的應用極為廣泛。

        比亞迪半導體成功開發出 T 型拓撲結構 BG80T12G10S5模塊和 I 型拓撲結構模塊 BG150I07N10H5模塊。

        該兩款 IGBT 模塊采用光伏逆變市場的典型應用拓撲,模塊結構緊湊、性能高效,適用于各類光伏逆變器,如光伏逆變和儲能等。與行業同類產品相比,溫升更低、可靠性更高。

        針對不同的應用領域,IGBT 也展現出不同的技術特點。光伏 IGBT 對于可靠性的要求非常高,新能源發電輸出的電能需要通過光伏逆變器將整流后的直流電逆變為符合電網要求的交流電后輸入電網,這種線路需要將 IGBT 模塊性能用到極致,所以對 IGBT 芯片也提出了更高的可靠性要求。

        比亞迪半導體 T 型拓撲結構 BG80T12G10S5模塊和 I 型拓撲結構模塊 BG150I07N10H5,主要有以下特性:

        結構緊湊,封裝體積小采用 DBC 工藝采用比亞迪半導體 IGBT5.0技術的低損耗 IGBT低寄生電感設計耐沖擊能力Pin 針工藝

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