濟南能華機電設備有限公司
把您擁有的電，變成成想要的電！
咨詢熱線： 0531-68684888
濟南能華機電設備有限公司
把您擁有的電，變成成想要的電！
咨詢熱線： 0531-68684888
原標題：英諾賽科推出多款高性能氮化鎵芯片，符合高功率密度、高效率轉換的產品應用
隨著 PD 3.1 協議的落地，百瓦級以上的充電器和電源適配器開始追求更高的功率密度，得益于氮化鎵技術的加入，相比傳統的Si MOS器件，獲得更高的開關頻率和轉換效率，縮小磁性元件的體積，從而進一步提升適配器的功率密度。由于氮化鎵器件采用二維電子氣（2DEG）來實現導通的，因此具有更高的電子密度和電子遷移率，導通損耗和開關損耗有很大提升，特別是在高頻工作模式下更為明顯。
英諾賽科是一家全球領先的8英寸硅基氮化鎵 IDM 企業，擁有全世界最大的氮化鎵生產基地，先進的研發與制造能力，配套全自動生產線與全流程質量管控體系。過去一年，英諾賽科全面增加研發投入，打造了40V、100V及150V工藝平臺，以市場需求為導向，推出了眾多符合市場需求的創新型產品，并成功量產，在多個終端應用場景表現出色。采用英諾賽科氮化鎵芯片的終端有三星，OPPO，VIVO，聯想，雅迪，LG，安克，努比亞，倍思，綠聯，閃極等數多家知名品牌和廠商。
本期就讓我們對英諾賽科主要的幾款產品進行詳細闡述。
INN100W032A是一顆耐壓100V，導通電阻3.2mΩ的增強型氮化鎵芯片，連續電流60A，脈沖電流可達230A，能夠適應-40℃到150℃工作環境，零反向恢復電荷。采用WLCSP 3.5mmx2.1mm封裝，體積小巧，能夠極大節省占板面積。
INN100W032A在同步整流、Class D功放、高頻DC-DC模塊電源及電機驅動等應用場景中，能夠有效地提高工作頻率和效率。
INN100W070A是一顆耐壓100V，導通電阻7mΩ的增強型氮化鎵芯片，連續電流29A. 脈沖電流可達125A，能夠適應-40℃到150℃工作環境，零反向恢復電荷。采用WLCSP 2.5mmx1.5mm封裝。
INN100W070A WLCSP封裝的寄生參數非常小，非常適合用在激光雷達等需要快速開關的場合，也適合應用在高功率密度的模塊電源，Class D功放，中小功率電機驅動等場合。
INN100W027A是一顆耐壓100V，導通電阻2.7mΩ的增強型氮化鎵芯片，連續電流64A. 脈沖電流可達320A，能夠適應-40℃到150℃工作環境，零反向恢復電荷。采用WLCSP 4.45mmx2.3mm封裝。
INN100W027A 是InnoGaN 100V系列導通電阻最小的一顆，非常適合應用在高功率密度的模塊電源，也適合在大功率的Class D功放和電機驅動等場合。
INN150LA070A是一顆耐壓150V，導通電阻7mΩ的高電子遷移率晶體管?；谄涓哳l、低能耗的性能優勢，可廣泛應用于可廣泛應用于快充、適配器、Class D 功放，電機驅動，通信模塊電源。
INN150LA070A采用了LGA3.2x2.2mm封裝技術，占板面積極小，有著零反向恢復、低柵極電荷、低導通電阻等特性，能適應-40℃~150℃的工作環鏡。
V-GaN 系列INN040W048A氮化鎵芯片具備無體二極管、低導通阻抗等特性，僅用1顆就能代替兩顆硅MOSFET。該產品也是全球首款導入手機內部的GaN芯片，目前已應用于OPPO / Realme 智能手機的主板，節省手機PCBA空間，大大降低手機溫度，為用戶提供了更高效的快充體驗。
INN040W048A氮化鎵芯片耐壓40V，導通電阻4.8mΩ，支持雙向導通。同時采用WLCSP2.1mmx2.1mm的封裝，為終端產品節省系統空間的同時，有效降低了系統能耗。
INN040LA015A耐壓40V，導阻1.5mΩ，可在-40℃到150℃下工作。
INN040LA015A采用晶圓級FCLGA 5mmx4mm封裝，相比傳統MOS管封裝體積大大縮小。具備超低的寄生電容，且無反向恢復，同時其優化的走線更加方便高頻大電流布線。能夠實現更高的功率密度的終端應用。
INN650DA260A是一顆耐壓650V，導通電阻260mΩ的高壓氮化鎵芯片，能夠有效降低系統能耗，2nC的柵極電荷為高頻率的開關需求提供保證。該芯片采用DFN5mmx6mm封裝，實現系統的小體積高效率。
INN650DA260A目前已在手機快充（安克、倍思、ASUS等產品），電動兩輪車快充（雅迪），LED電源等諸多產品中得到應用，有效提升了終端品牌在市場上的競爭力。
INN650DA150A，有著極高的開關頻率，極低的柵極電荷、輸出電荷，保證了高頻開關需求的同時，有效降低了系統能耗以及開關能耗。
INN650DA150A采用DFN 5mmx6mm封裝，符合RoHS及REACH規范的無鉛產品，該產品已在筆記本電腦適配器中得到應用，并大批量量產。如LG 的65W 筆記本電腦適配器。
基于上一代產品迭代的INN650D080BS ，內阻僅為80mΩ，其超低的開關損耗以及零反向恢復的特性，可實現高頻、小體積、高功率密度、高效率的電源轉換。滿足JEDEC的工業級應用標準，且擁有較高的ESD防護等級。
該產品目前在國內工業市場已大批量使用，且多項國際合作項目也在同步進行，如比利時魯汶大學/EnergieVille 正在用這款產品開發1KW 以上的400V雙橋（DAB）轉換器；同時，瑞士伯爾尼高等專業學院（BFH）研究所也正在用INN650D080BS開發11KW/850V多電平轉換器項目。
INN650TA030AH是英諾賽科全新推出的采用TOLL封裝的氮化鎵芯片，耐壓650V，導通電阻30 mΩ，具備超高開關頻率和無反向恢復電荷、低輸出電荷等特性符合JEDEC標準，RoHS及REACH規范。
INN650TA030AH適合應用在AC-DC轉換器，DC-DC轉換器，圖騰柱PFC，快充及其他高功率密度、高效率轉換器的應用。
最新推出的耐壓700V，導通電阻140mΩ的高壓氮化鎵芯片INN700DC140A，采用DFN5mm x6mm雙平面無引線封裝。
具備高開關頻率、無反向恢復電荷、低輸出電荷等功能，符合JEDEC標準。該產品在AC-DC變換器、DC-DC變換器、快速充電等應用中實現高功率密度和高效率功率轉換。
英諾賽科推出的SolidGaN合封芯片系列產品，是數據中心模塊電源，電機驅動以及D類功率放大器等48V電源系統的優選。
SolidGaN ISG3201是一顆耐壓100V的半橋氮化鎵芯片，其內部集成了2顆100V，導阻3.2mΩ的增強型氮化鎵和1顆100V半橋驅動，憑借內部集成驅動器省去了外部鉗位電路，能夠顯著降低關聯的寄生參數。
ISG3201采用5mmx6.5mm封裝，能夠有效減小PCB板面積。同時，該芯片還具有獨立的高側和低側PWM信號輸入，并支持TTL電平驅動，可由專用控制器或通用MCU進行驅動控制。優化的模塊引腳設計顯著減小主功率寄生參數以及由此引起的電壓尖峰，進一步提高系統性能和可靠性。SolidGaN 系列還包括高壓ISG6102，ISG6152等。
下表為截止英諾賽科已進入量產階段的產品，英諾賽科基于260mΩ和150mΩ的導通電阻，同步推出了采用DFN8mmx8mm封裝的650V高壓氮化鎵芯片，滿足了不同終端產品應用的需求。同時英諾賽科推出的700V系列產品，包括240mΩ/350 mΩ，采用了封裝面積更小的DFN5mm x6mm封裝工藝，能夠滿足終端應用對不同產品規格的需求，獲得市場端良好反饋。
作為第三代半導體之一的GaN，在最近幾年的發展中勢不可擋，從PD行業開始迅速發展，逐漸拓展到通訊、工業、數據中心電源、戶外儲能、光伏等應用領域，依靠其自身的材料屬性優勢能夠有效提升電源產品的功率密度和轉換效率，這對于注重能效，節能減排的今天，有著至關重要的意義，已經逐漸成為“綠色能源革命”的關鍵支撐。期待英諾賽科繼續為電源市場提供更多更高效率、更低能耗、更符合市場需求的產品，推動氮化鎵技術的發展和普及。
想了解更多產品詳情，可以登錄英諾賽科官網或關注“英諾賽科”官方公眾號聯系。返回搜狐，查看更多
責任編輯：
濟南能華機電設備有限公司是一家專業從事直流穩壓電源、逆變電源、脈沖電源、高壓電源、電力通信電源、開關電源、遠供電源、充電機、程控變頻電源、程控直流電源、大電流恒流源、碼頭岸電電源、軍工電源、電力測試電源測試系統的研發、生產、銷售于一體的高新科技專業化公司，產品廣泛應用于家用電器、電機測試、碼頭船廠、航天航空、電力測試、進口設備、新能源等多種應用領域。 濟南能華機電設備有限公司嚴格執行ISO9001：2001質量管理體系和GJB9001A-2001軍工產品質量體系相關標準，始終堅持“以客戶需求為導向，以產品質量為依托”，為客戶提供快捷的行業解決方案，得到了各行業眾多客戶的高度贊揚。濟南能華機電設備有限公司堅持“科技創新”為持續發展動力，依托“···
